纳米银焊膏

烧结连接层成分为银，具有优异的导电和导热性能；由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应，具有极高的可靠性；所用烧结材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度；烧结料不含铅，属于环境友好型材料。

相比焊接模块，银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重要影响，采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍，烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%，热传导率提升3倍，国外厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术，银烧结技术成为芯片与基板之间连接的不二选择，同时在此基础上开发出双面银烧结技术，将银带烧结在芯片正面代替了铝线，或取消底板将基板直接烧结在散热器上，大大简化了模块封装的结构。

目前实现功率器件电气连接的封装工艺主要是引线键合和倒装芯片技术，但是在高温环境下引线容易发生电迁移，而由于倒装芯片技术的迅速发展拜托了引线键合的散热差，集成困难等问题，所以它占主要地位。倒装工艺有焊料和导电胶两种。但是在高温时，焊料合金容易发生回流塌陷，而导电胶容易分解固化，不再适合高温功率电子器件的封装。像高熔点的锡铅焊料仍可使用，但从安全和环保角度考虑会逐渐禁止。纳米银焊膏的颗粒直径更小，降低烧结所需要的温度，更加具有优势。